安建半導(dǎo)體持續(xù)擴充120, 150, 200V SGT中高壓MOSFET產(chǎn)品平臺
作者: 發(fā)布日期:2024-12-10瀏覽:466次
安建半導(dǎo)體 (JSAB) 繼年初推出業(yè)界領(lǐng)先的150V SGT MOSFET 產(chǎn)品平臺，同年已將中高壓平臺擴充至120V 及200V，平臺沿用先進的技術(shù)和設(shè)計，提供了卓越的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻，實現(xiàn)了高效的能源轉(zhuǎn)換和低能耗操作。年初推出的150V平臺已在不同應(yīng)用及客戶之間取得認可，達到成熟量產(chǎn)階段，新產(chǎn)品能同樣廣泛應(yīng)用于通信和數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源、叉車和輕型電動車低壓電機驅(qū)動器以及電池管理系統(tǒng)(BMS)。1. 優(yōu)化FOM (Figure of Merit)：極低導(dǎo)通及開關(guān)損耗，適用于高載頻及高功率工況，提供高效的能量轉(zhuǎn)換和節(jié)能效果。2. 高可靠性：-55 ~ 175 ℃ 工作范圍，卓越的可靠性與耐用性，全面滿足工業(yè)級標準。3. 高抗沖擊能力：低熱阻，高雪崩能力，滿足高電流及瞬間關(guān)斷時的要求。4. 良好一致性：支持多管并聯(lián)應(yīng)用。 JSAB 120V SGT MOSFET優(yōu)化了元胞尺寸 (Pitch) 及基板 (Substrate) ，在確保最低120V的擊穿電壓基礎(chǔ)下，大幅降低電阻，優(yōu)化大電流工作時的可靠性及系統(tǒng)溫度。與當前可用的器件相比，這些新MOSFET的導(dǎo)通電阻RDS(on) 降幅高達26%，非常適合采用大功率或96V電池的工業(yè)電機驅(qū)動或電池管理系統(tǒng) (BMS) 應(yīng)用。 JSAB 150V及200V SGT MOSFET同樣采用深溝槽技術(shù)，透過優(yōu)化漂移區(qū) (Drift region) 及基板 (Substrate) 阻抗，能以相同芯片大小，達到更低的FOM (RDS(on) x Qg)，大幅降低開關(guān)損耗及導(dǎo)通損耗。可替換國外一流進口品牌，非常適用于工業(yè)電機驅(qū)動或可在服務(wù)器、電源等高頻開關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域。
3. 推薦型號
綜上所述，JSAB 中高壓SGT平臺產(chǎn)品能夠完全媲美國際一流進口品牌的性能，非常適用于工業(yè)電機驅(qū)動或電池管理系統(tǒng)等應(yīng)用領(lǐng)域。 JSAB亦會持續(xù)擴充高性能，高質(zhì)量產(chǎn)品，并完善同平臺產(chǎn)品線。 JSAB有能力也有信心接受客戶嚴苛的測試和檢驗，如需樣品，歡迎與我司聯(lián)系。
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